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电子元器件详细资料 » IC[331] » NTMS4P01R2
型号:NTMS4P01R2类别:FET - 单制造商:ON Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)12V
电流_连续漏极(Id)0a025000C3.4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C45 毫欧 @ 4.5A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221.15V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs35nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds1850pF @ 9.6V
功率_最大790mW
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市百域芯科技有限公司雷小姐075582788062
深圳市源丰诚电子科技有限公司朱先生0755-23919407
深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
深圳思诺康科技有限公司李先生0755-83286481李先生/0755-83272821朱小姐
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